IRFHM4226TRPBF参数：MOSFET N CH 25V 28A PQFN
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：4,000系列：HEXFET®包装：*FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：25V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：28A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：2.2 毫欧 @ 30A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 50µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：32nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2000pF @ 13V功率 - 最大值：2.7W安装类型：*封装：*供应商器件封装：*
