IRFHM792TR2PBF参数：MOSFET N CH DUAL 100V 2.3A PQFN
类别：分立半导体产品-FET - 阵列设计资源： IRFHM792TR2PBFSaberModel IRFHM792TR2PBFSpiceModel标准包装：1系列：HEXFET®包装：剪切带(CT)FET类型：2个N沟道（双）FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：100V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：2.3A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：195毫欧@2.9A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@10µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：6.3nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：251pF@25V功率-最大值：2.3W安装类型：表面贴装封装：8-PowerVDFN供应商器件封装：8-PQFN（3.3X3.3），Power33
