IRFHM830TRPBF参数：MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)设计资源： IRFHM830TR2PBFSaberModel IRFHM830TR2PBFSpiceModel标准包装：4,000系列：HEXFET®包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：21A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：3.8毫欧@20A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.35V@50µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：31nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：2155pF@25V功率-最大值：2.7W安装类型：表面贴装封装：8-VQFN裸露焊盘供应商器件封装：PQFN（3x3）
