IRFHM831TRPBF参数：MOSFET N-CH 30V 14A PQFN
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)设计资源： IRFHM831TR2PBFSaberModel IRFHM831TR2PBFSpiceModel标准包装：4,000系列：HEXFET®包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：14A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：7.8毫欧@12A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.35V@25µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：16nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1050pF@25V功率-最大值：2.5W安装类型：表面贴装封装：8-PowerTDFN供应商器件封装：PQFN（3x3）
