IRFHM8363TRPBF参数：MOSFET DUAL N CH DL 30V 11A 8QFN
类别：分立半导体产品-FET - 阵列产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)设计资源： IRFHM8363TR2PBFSaberModel IRFHM8363TR2PBFSpiceModel标准包装：4,000系列：HEXFET®包装：带卷(TR)FET类型：2个N沟道（双）FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：11A，29A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：14.9毫欧@10A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.35V@25µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：15nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1165pF@10V功率-最大值：2.7W，19W安装类型：表面贴装封装：8-PowerVDFN供应商器件封装：8-PQFN（3.3X3.3），Power33
