IRFHS8242TRPBF参数：MOSFET N-CH 25V 9.9A PQFN
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)设计资源： IRFHS8242TR2PBFSaberModel IRFHS8242TR2PBFSpiceModel标准包装：4,000系列：HEXFET®包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：25V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：9.9A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：13毫欧@8.5A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.35V@25µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：10.4nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：653pF@10V功率-最大值：2.1W安装类型：表面贴装封装：6-VQFN供应商器件封装：6-PQFN（2x2）
