IRFHS8342TR2PBF参数：MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN
类别：分立半导体产品-FET - 单设计资源： IRFHS8342TR2PBFSaberModel IRFHS8342TR2PBFSpiceModel特色产品： PQFN2x2标准包装：400系列：HEXFET®包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：8.8A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：16毫欧@8.5A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.35V@25µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：8.7nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：600pF@25V功率-最大值：2.1W安装类型：表面贴装封装：6-PowerVQFN供应商器件封装：6-PQFN（2x2）
