IRFHS9351TR2PBF参数：MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN
类别：分立半导体产品-FET - 阵列设计资源： IRFHS9351TR2PBFSaberModel IRFHS9351TR2PBFSpiceModel特色产品： DualPQFN2x2andDualPQFN3.3x3.3PowerMOSFETs标准包装：1系列：HEXFET®包装：剪切带(CT)FET类型：2个P沟道（双）FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：2.3A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：170毫欧@3.1A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.4V@10µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：3.7nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：160pF@25V功率-最大值：1.4W安装类型：表面贴装封装：6-PowerVQFN供应商器件封装：6-PQFN（2x2）
