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IRFI1010N

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IRFI1010NPBF
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IRFI1010NPBF参数：MOSFET N-CH 55V 49A TO220FP

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
设计资源： IRFI1010NPBFSaberModel IRFI1010NPBFSpiceModel
标准包装：50
系列：HEXFET®
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：55V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：49A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：12毫欧@26A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：130nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：2900pF@25V
功率-最大值：58W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3整包
供应商器件封装：TO-220AB整包

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