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IRFI4019H-117P

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IRFI4019H-117P
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IRFI4019H-117P参数：MOSFET N-CH 150V 8.7A TO-220FP-5

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
设计资源： IRFI4019H-117PSaberModel IRFI4019H-117PSpiceModel
标准包装：50
系列：-
包装：管件
FET类型：2个N沟道（双）
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：150V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：8.7A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：95毫欧@5.2A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4.9V@50µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：20nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：810pF@25V
功率-最大值：18W
安装类型：通孔
封装：TO-220-5整包
供应商器件封装：TO-220-5整包
配用：IRAUDAMP7S-ND-BOARDREFDESIGN2CHAUDIOAMP

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