IRFI4020H-117P参数：MOSFET N-CH 200V 9.1A TO-220FP-5
类别：分立半导体产品-FET - 阵列产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)标准包装：50系列：-包装：管件FET类型：2个N沟道（双）FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：200V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：9.1A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：100毫欧@5.5A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4.9V@100µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：29nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1240pF@25V功率-最大值：21W安装类型：通孔封装：TO-220-5整包供应商器件封装：TO-220-5整包
