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IRFI4212H-117P

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IRFI4212H-117P
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TO-220F-5
2023+
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TO-220-5
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IRFI4212H-117PXKMA1
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TO-220-5 整包
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2023+
11,000
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IRFI4212H-117P
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TO-220-3
2023+
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晶体管
相关型号： IRFI4121H-117P IRFI4110GPBF IRFI4024H-117P IRFI4020H-117P IRFI4019HG-117P IRFI4019H-117P

IRFI4212H-117P
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IRFI4212H-117P参数：MOSFET N-CH 100V 11A TO-220FP-5

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
标准包装：50
系列：-
包装：管件
FET类型：2个N沟道（双）
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：100V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：11A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：72.5毫欧@6.6A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：18nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：490pF@50V
功率-最大值：18W
安装类型：通孔
封装：TO-220-5整包
供应商器件封装：TO-220-5整包

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