IRFI4212H-117P参数：MOSFET N-CH 100V 11A TO-220FP-5
类别：分立半导体产品-FET - 阵列产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)标准包装：50系列：-包装：管件FET类型：2个N沟道（双）FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：100V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：11A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：72.5毫欧@6.6A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：18nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：490pF@50V功率-最大值：18W安装类型：通孔封装：TO-220-5整包供应商器件封装：TO-220-5整包
