IRFI520N参数：MOSFET N-CH 100V 7.6A TO220FP
类别：分立半导体产品-FET - 单设计资源： IRFI520NSaberModel IRFI520NSpiceModel标准包装：50系列：HEXFET®包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：100V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：7.6A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：200毫欧@4.3A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：25nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：330pF@25V功率-最大值：30W安装类型：通孔封装：TO-220-3整包供应商器件封装：TO-220AB整包
