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IRFI530N

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IRFI530N 优势库存
IR
TO220F
2023+
714
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IRFI530N
Infineon Techn..
PG-TO220-FP
2023+
500
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IRFI530NPBF
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TO-220AB 整包
2023+
4278
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IRFI530N/G
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TO220F
2023+
1828
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IRFI530N
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TO-220FULL
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IRFI530NPBF
InternationalR..
TO-220-3
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TO-220-3
2023+
1250
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IRFI530N
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TO-220-3（）
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6000
品质保证,价格优惠
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IRFI530NPBF
IR
2023+
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深圳现货，专业配套
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IRFI530NPBF
INFINEON/IR
TO-220FP
2023+
2,000
全新原装，香港现货
IRFI530N
IOR
TO-220
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22110
全新原装正品特价优惠
IRFI530NPBF
NO MFR
原厂原包装
2023+
22111
全新原装进口特价
IRFI530NPBF
IR
TO-220-3
2023+
26000
晶体管
IRFI530NPBF
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进口原装 库房现货
2023+
5600
IRFI530N
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TO-220
2023+
13500
低价格.高品质.服务好.现..
相关型号： IRFI530GPBF IRFI530G IRFI520N IRFI520GPBF IRFI520G IRFI510GPBF

IRFI530N
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IRFI530N参数：MOSFET N-CH 100V 12A TO220FP

类别：分立半导体产品-FET - 单
设计资源： IRFI530NSaberModel IRFI530NSpiceModel
标准包装：50
系列：HEXFET®
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：100V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：12A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：110毫欧@6.6A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：44nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：640pF@25V
功率-最大值：41W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3整包
供应商器件封装：TO-220AB整包

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