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IRFI630

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IRFI630G 优势库存
IR
TO220F
2023+
386
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IRFI630GPBF
Vishay Silicon..
TO-220-3
2023+
2876
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IRFI630G
Vishay Silicon..
TO-220-3
2023+
500
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IRFI630
FAIRCHILD
TO-262
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5557
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IRFI630G
IR
TO-220F
2023+
2596
特价,全新原装现货,随时发货
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IRFI630GPBF
Vishay/Silicon..
TO-220-3，
2023+
5164
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IRFI630G
Vishay/Silicon..
TO-220-3，
2023+
1250
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IRFI630G
IR
TO-220FULLPA..
2023+
24260
品质保证,价格优惠
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IRFI630N
FSC
TO-220
2023+
6278
工厂配单，价格优势
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IRFI630A
TO-261
2023+
2166
工厂配单，价格优势
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IRFI630A
IR
TO-220
2023+
30641
全新原装现货，价格优惠
IRFI630G
IR
TO-220F
2023+
30248
全新原装现货，价格优惠
IRFI630N
IOR
TO-220
2023+
21679
全新原装现货，价格优惠
IRFI630GPBF
IR
进口原装 库房现货
2023+
5600
IRFI630N
FSC/ST/IR/H
TO-220
2023+
14999
原装现货，假一赔十
IRFI630B
Fairchild
TO-262
2023+
17500
低价格.高品质.服务好.现..
IRFI630
Fairchild
TO-262
2023+
17500
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相关型号： IRFI624GPBF IRFI624G IRFI620GPBF IRFI620G IRFI620 IRFI614GPBF

IRFI630G
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IRFI630G参数：MOSFET N-CH 200V 5.9A TO220FP

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：1,000
系列：-
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：200V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：5.9A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：400 毫欧 @ 3.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：43nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：800pF @ 25V
功率 - 最大值：35W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3 全封装，隔离接片
供应商器件封装：TO-220-3

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