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IRFI640G

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IRFI640G 优势库存
IR
TO-220
2023+
13350
原装现货质量保证
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IRFI640GPBF
Vishay Silicon..
TO-220-3
2023+
2415
全新原装进口现货品质保证
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IRFI640G
Vishay Silicon..
TO-220-3
2023+
500
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IRFI640G
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TO-220
2023+
12557
原装现货价格优势
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IRFI640GPBF
Vishay/Silicon..
TO-220-3，
2023+
375
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IRFI640G
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TO-220-3，
2023+
1250
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IRFI640G
IR
TO-220F
2023+
8000
品质保证,价格优惠
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IRFI640GPBF
VISHAY
2023+
3190
全新进口原装现货,保证质量
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IRFI640G105
IR
TO-263
2023+
13278
工厂配单，价格优势
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TO-220
2023+
11278
工厂配单，价格优势
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IRFI640G
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TO-220F
2023+
30787
全新原装现货，价格优惠
IRFI640GPBF
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原装现货
2023+
4500
IRFI640G
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TO-220
2023+
13500
低价格.高品质.服务好.现..
相关型号： IRFI634GPBF IRFI634G IRFI630GPBF IRFI630G IRFI624GPBF IRFI624G

IRFI640G
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IRFI640G参数：MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220FP

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：1,000
系列：-
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：200V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：9.8A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：180 毫欧 @ 5.9A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：70nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1300pF @ 25V
功率 - 最大值：40W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3 全封装，隔离接片
供应商器件封装：TO-220-3

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