IRFI640GPBF参数：MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220FP
类别：分立半导体产品-FET - 单产品目录绘图： IR(L,F)ISeriesSide1 IR(L,F)ISeriesSide2标准包装：1,000系列：-包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：200V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：9.8A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：180毫欧@5.9A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：70nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1300pF@25V功率-最大值：40W安装类型：通孔封装：TO-220-3全封装，隔离接片供应商器件封装：TO-220-3
