IRFIB41N15DPBF参数：MOSFET N-CH 150V 41A TO220FP
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)标准包装：3,000系列：HEXFET®包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：150V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：41A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：45毫欧@25A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5.5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：110nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：2520pF@25V功率-最大值：48W安装类型：通孔封装：TO-220-3整包供应商器件封装：TO-220AB整包