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IRFIB41N15D

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IRFIB41N15DPBF
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IRFIB41N15DPBF参数：MOSFET N-CH 150V 41A TO220FP

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
标准包装：3,000
系列：HEXFET®
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：150V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：41A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：45毫欧@25A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5.5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：110nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：2520pF@25V
功率-最大值：48W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3整包
供应商器件封装：TO-220AB整包

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