IRFIB5N65APBF参数：MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220FP
类别：分立半导体产品-FET - 单产品目录绘图： IR(L,F)ISeriesSide1 IR(L,F)ISeriesSide2标准包装：1,000系列：HEXFET®包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：650V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：5.1A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：930毫欧@3.1A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：48nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1417pF@25V功率-最大值：60W安装类型：通孔封装：TO-220-3全封装，隔离接片供应商器件封装：TO-220-3
