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IRFIBE30

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IRFIBE30G 优势库存
IR
TO-220F
2023+
387
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IRFIBE30GPBF
Vishay Silicon..
TO-220-3
2023+
2400
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Vishay Silicon..
TO-220-3
2023+
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TO-220F
2023+
748
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IRFIBE30
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TO-220F
2023+
22557
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Vishay/Silicon..
TO-220-3，
2023+
2982
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IRFIBE30G
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TO-220-3，
2023+
1250
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IRFIBE30G
IR
TO-220FULLPA..
2023+
24260
品质保证,价格优惠
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IRFIBE30GPBF
VISHAY
TO-220FP
2023+
3,450
全新原装，香港现货
IRFIBE30GPBF
VISHAY
原厂原包装
2023+
26587
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原装现货
2023+
4500
IRFIBE30G
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库房现货原装进口
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5600
IRFIBE30
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库房现货原装进口
2023+
5600
相关型号： IRFIBE20GPBF IRFIBE20G IRFIBC40GPBF IRFIBC40GLCPBF IRFIBC40GLC IRFIBC40G

IRFIBE30G
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IRFIBE30G参数：MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220FP

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：1,000
系列：-
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：800V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：2.1A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：3 欧姆 @ 1.3A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：78nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1300pF @ 25V
功率 - 最大值：35W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3 全封装，隔离接片
供应商器件封装：TO-220-3

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