IRFL024N参数：MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：80系列：HEXFET®包装：管件FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：55V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：2.8A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：75 毫欧 @ 2.8A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：18.3nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：400pF @ 25V功率 - 最大值：1W安装类型：表面贴装封装：TO-261-4，TO-261AA供应商器件封装：SOT-223
