IRFL4310TR参数:MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223
类别:分立半导体产品-FET - 单设计资源: IRFL4310TRSaberModel IRFL4310TRSpiceModelPCNObsolescence: (PMD)LeadedParts25/May/2012标准包装:1系列:HEXFET®包装:剪切带(CT)FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):100V电流-连续漏极(Id)(25°C时):1.6A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):200毫欧@1.6A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):25nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss):330pF@25V功率-最大值:1W安装类型:表面贴装封装:TO-261-4,TO-261AA供应商器件封装:SOT-223