IRFP22N60

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IRFP22N60C3PBF参数：MOSFET N-CH 650V 22A TO-247AC

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：25
系列：HEXFET®
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：650V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：22A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：-
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-
功率 - 最大值：-
安装类型：通孔
封装：TO-247-3
供应商器件封装：TO-247-3