IRFP044N参数：MOSFET N-CH 55V 53A TO-247AC
类别：分立半导体产品-FET - 单设计资源： IRFP044NSaberModel IRFP044NSpiceModel标准包装：25系列：HEXFET®包装：散装FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：55V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：53A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：20毫欧@29A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：61nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1500pF@25V功率-最大值：120W安装类型：通孔封装：TO-247-3供应商器件封装：TO-247AC
