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IRFR014

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SOT252
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IRFR014TRLPBF-BE3
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SAMSUNG
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IRFR014
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IRFR014TRPBF
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工厂配单，价格优势
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IRFR014TRLPBF
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IRFR014ATF
SAMSUNG
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工厂配单，价格优势
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IRFR014PBF
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TO252
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一级代理/全新原装现货/长..
IRFR014TRLPBF
VISHAY
D-PAK (TO-25..
2023+
45,000
全新原装，香港现货
IRFR014TRRPBF
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原装现货
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进口原装 库房现货
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全新原装现货
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2023+
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原装现货，假一赔十
IRFR014
IOR
TO252
2023+
37500
低价格.高品质.服务好.现..
IRFR014
IR
TO-252
2023+
13520
原装现货
相关型号： IRFR010TRR IRFR010TRPBF IRFR010TRLPBF IRFR010TRL IRFR010TR IRFR010PBF

IRFR014
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IRFR014参数：MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：3,000
系列：-
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：60V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：7.7A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：200 毫欧 @ 4.6A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：11nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：300pF @ 25V
功率 - 最大值：2.5W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装：D-Pak

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