IRFR1205参数：MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
类别：分立半导体产品-FET - 单设计资源： IRFR1205SaberModel IRFR1205SpiceModel标准包装：75系列：HEXFET®包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：55V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：44A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：27毫欧@26A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：65nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1300pF@25V功率-最大值：107W安装类型：表面贴装封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63供应商器件封装：D-Pak
