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IRFR13N15DT

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相关型号： IRFR13N15DPBF IRFR130ATM IRFR12N25DTRRP IRFR12N25DTRPBF IRFR12N25DTRLP IRFR12N25DPBF

IRFR13N15DTR
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IRFR13N15DTR参数：MOSFET N-CH 150V 14A DPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：2,000
系列：HEXFET®
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：150V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：14A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：180 毫欧 @ 8.3A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：29nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：620pF @ 25V
功率 - 最大值：86W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装：D-Pak

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