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IRFR18N15DTR

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IRFR18N15DTRR 优势库存
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IRFR18N15DTR
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IRFR18N15DTR参数：MOSFET N-CH 150V 18A DPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
设计资源： IRFR18N15DSaberModel IRFR18N15DSpiceModel
标准包装：2,000
系列：HEXFET®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：150V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：18A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：125毫欧@11A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5.5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：43nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：900pF@25V
功率-最大值：110W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63
供应商器件封装：D-Pak

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