IRFR3418PBF参数:MOSFET N-CH 80V 70A DPAK
类别:分立半导体产品-FET - 单设计资源: IRFR3418PBFSaberModel IRFR3418PBFSpiceModel标准包装:75系列:HEXFET®包装:管件FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:标准漏源极电压(Vdss):80V电流-连续漏极(Id)(25°C时):70A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):14毫欧@18A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):5.5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):94nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss):3510pF@25V功率-最大值:3.8W安装类型:表面贴装封装:TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63供应商器件封装:D-Pak