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IRFR6215TRPBF

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IRFR6215TRPBF
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IRFR6215TRPBF参数：MOSFET P-CH 150V 13A DPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
标准包装：2,000
系列：HEXFET®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：150V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：13A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：295毫欧@6.6A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：66nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：860pF@25V
功率-最大值：110W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63
供应商器件封装：D-Pak

IRFR6215TRPBF

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