IRFR812PBF参数：MOSF N CH 500V 3.6A DPAK
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)标准包装：75系列：HEXFET®包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：500V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：3.6A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：2.2欧姆@2.2A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：20nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：810pF@25V功率-最大值：78W安装类型：表面贴装封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63供应商器件封装：D-Pak
