IRFR825TRPBF参数：MOSF N CH 500V 6A DPAK
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)设计资源： IRFR825PBFSaberModel IRFR825PBFSpiceModel标准包装：2,000系列：HEXFET®包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：500V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：6A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：1.3欧姆@3.7A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：34nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1346pF@25V功率-最大值：119W安装类型：表面贴装封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63供应商器件封装：D-Pak
