IRFR9120NTRL参数:MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
类别:分立半导体产品-FET - 单设计资源: IRFR9120NTRPBFSaberModel IRFR9120NTRPBFSpiceModel标准包装:3,000系列:HEXFET®包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETP通道,金属氧化物FET功能:标准漏源极电压(Vdss):100V电流-连续漏极(Id)(25°C时):6.6A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):480毫欧@3.9A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):27nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss):350pF@25V功率-最大值:40W安装类型:表面贴装封装:TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63供应商器件封装:D-Pak