IRFSL31N20D参数：MOSFET N-CH 200V 31A TO-262
类别：分立半导体产品-FET - 单设计资源： IRFB31N20DPBFSaberModel IRFB31N20DPBFSpiceModel标准包装：50系列：HEXFET®包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：200V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：31A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：82毫欧@18A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5.5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：110nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：2370pF@25V功率-最大值：3.1W安装类型：通孔封装：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA供应商器件封装：TO-262
