IRFSL9N60APBF参数：MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262
类别：分立半导体产品-FET - 单产品目录绘图： IRFTO-262SeriesSide1 IRFTO-262SeriesSide2标准包装：1,000系列：-包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：600V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：9.2A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：750毫欧@5.5A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：49nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1400pF@25V功率-最大值：170W安装类型：通孔封装：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA供应商器件封装：I2PAK
