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IRFU12N25D

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IRFU12N25D 优势库存
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相关型号： IRFU120ZPBF IRFU120Z IRFU120PBF IRFU120NPBF IRFU120ATU IRFU1205PBF

IRFU12N25D
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IRFU12N25D参数：MOSFET N-CH 250V 14A I-PAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
设计资源： IRFR12N25DSaberModel IRFR12N25DSpiceModel
标准包装：75
系列：HEXFET®
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：250V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：14A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：260毫欧@8.4A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：35nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：810pF@25V
功率-最大值：144W
安装类型：通孔
封装：TO-251-3长引线，IPak，TO-251AB
供应商器件封装：I-Pak

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