IRFU9120NPBF参数：MOSFET P-CH 100V 6.6A I-PAK
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)标准包装：75系列：HEXFET®包装：管件FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：100V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：6.6A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：480毫欧@3.9A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：27nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：350pF@25V功率-最大值：40W安装类型：通孔封装：TO-251-3长引线，IPak，TO-251AB供应商器件封装：I-Pak
