IRFUC20PBF参数：MOSFET N-CH 600V 2A I-PAK
类别：分立半导体产品-FET - 单产品目录绘图： IR(F,L)USeriesSide1 IR(F,L)USeriesSide2标准包装：3,000系列：-包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：600V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：2A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：4.4欧姆@1.2A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：18nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：350pF@25V功率-最大值：2.5W安装类型：通孔封装：TO-251-3短引线，IPak，TO-251AA供应商器件封装：TO-251AA
