IRG4BC10KDPBF参数:IGBT N-CH W/DIO 600V 9A TO220AB
类别:分立半导体产品-IGBT - 单路产品培训模块: IGBTPrimerDeviceandApplications HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)设计资源: IRG4BC10KDPBFSaberModel IRG4BC10KDPBFSpiceModel标准包装:50系列:-包装:管件IGBT类型:-电压-集射极击穿(最大值):600V不同?Vge、Ic时的?Vce(on):2.62V@15V,5A电流-集电极(Ic)(最大值):9ACurrent-CollectorPulsed(Icm):18A功率-最大值:38WSwitchingEnergy:260µJ输入类型:标准GateCharge:19nCTd(on/off)A25°C:11ns/51nsTestCondition:480V,5A,100欧姆,15V反向恢复时间(trr):-封装:TO-220-3安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220AB