IRG4BC20SD-S参数：IGBT W/DIODE 600V 19A D2PAK
类别：分立半导体产品-IGBT - 单路设计资源： IRG4BC20SD-SSaberModel IRG4BC20SD-SSpiceModel标准包装：50系列：-包装：管件IGBT类型：-电压-集射极击穿（最大值）：600V不同?Vge、Ic时的?Vce(on)：1.6V@15V，10A电流-集电极(Ic)（最大值）：19ACurrent-CollectorPulsed(Icm)：38A功率-最大值：60WSwitchingEnergy：2.9mJ输入类型：标准GateCharge：27nCTd(on/off)A25°C：62ns/690nsTestCondition：480V,10A,50欧姆,15V反向恢复时间(trr)：37ns封装：TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB安装类型：表面贴装供应商器件封装：D2PAK
