IRG4BC20SD-SPBF参数:IGBT N-CH W/DIODE 600V 19A D2PAK
类别:分立半导体产品-IGBT - 单路产品培训模块: IGBTPrimerDeviceandApplications设计资源: IRG4BC20SD-SSaberModel IRG4BC20SD-SSpiceModel标准包装:50系列:-包装:管件IGBT类型:-电压-集射极击穿(最大值):600V不同?Vge、Ic时的?Vce(on):1.6V@15V,10A电流-集电极(Ic)(最大值):19ACurrent-CollectorPulsed(Icm):38A功率-最大值:60WSwitchingEnergy:2.9mJ输入类型:标准GateCharge:27nCTd(on/off)A25°C:62ns/690nsTestCondition:480V,10A,50欧姆,15V反向恢复时间(trr):37ns封装:TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB安装类型:表面贴装供应商器件封装:D2PAK