IRG4PH30KD参数:IGBT W/DIODE 1200V 20A TO-247AC
类别:分立半导体产品-IGBT - 单路标准包装:25系列:-包装:散装IGBT 类型:-电压 - 集射极击穿(最大值):1200V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on):4.2V @ 15V,10A电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20ACurrent - Collector Pulsed (Icm):40A功率 - 最大值:100WSwitching Energy:2.1mJ输入类型:标准Gate Charge:53nCTd (on/off) A 25°C:39ns/220nsTest Condition:800V, 10A, 23 欧姆, 15V反向恢复时间 (trr):50ns封装:TO-247-3安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247AC