IRG4RC10SD2

IRG4RC10SD
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IRG4RC10SD参数：IGBT STD W/DIODE 600V 8.0A D-PAK

类别：分立半导体产品-IGBT - 单路
标准包装：75
系列：-
包装：管件
IGBT 类型：-
电压 - 集射极击穿（最大值）：600V
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)：1.8V @ 15V，8A
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：14A
Current - Collector Pulsed (Icm)：18A
功率 - 最大值：38W
Switching Energy：3.60mJ
输入类型：标准
Gate Charge：15nC
Td (on/off) A 25°C：76ns/815ns
Test Condition：480V, 8A, 100 欧姆, 15V
反向恢复时间 (trr)：28ns
封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：D-Pak