IRG4RC10SDTRPBF参数:IGBT STD W/DIODE 600V 8A D-PAK
类别:分立半导体产品-IGBT - 单路产品培训模块: IGBTPrimerDeviceandApplications HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)标准包装:2,000系列:-包装:带卷(TR)IGBT类型:-电压-集射极击穿(最大值):600V不同?Vge、Ic时的?Vce(on):1.8V@15V,8A电流-集电极(Ic)(最大值):14ACurrent-CollectorPulsed(Icm):18A功率-最大值:38WSwitchingEnergy:3.60mJ输入类型:标准GateCharge:15nCTd(on/off)A25°C:76ns/815nsTestCondition:480V,8A,100欧姆,15V反向恢复时间(trr):28ns封装:TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63安装类型:表面贴装供应商器件封装:D-Pak