IRG4RC10UD参数:IGBT W/DIODE 600V 8.5A D-PAK
类别:分立半导体产品-IGBT - 单路设计资源: IRG4RC10UDSaberModel IRG4RC10UDSpiceModel标准包装:75系列:-包装:管件IGBT类型:-电压-集射极击穿(最大值):600V不同?Vge、Ic时的?Vce(on):2.6V@15V,5A电流-集电极(Ic)(最大值):8.5ACurrent-CollectorPulsed(Icm):34A功率-最大值:38WSwitchingEnergy:260µJ输入类型:标准GateCharge:15nCTd(on/off)A25°C:40ns/87nsTestCondition:480V,5A,100欧姆,15V反向恢复时间(trr):28ns封装:TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63安装类型:表面贴装供应商器件封装:D-Pak