IRGB5B60KD

IRGB5B120KDPBF
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IRGB5B120KDPBF参数：IGBT W/DIODE 1200V 12A TO220AB

类别：分立半导体产品-IGBT - 单路
产品培训模块： IGBTPrimerDeviceandApplications HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
设计资源： IRGB5B120KDPBFSaberModel IRGB5B120KDPBFSpiceModel
标准包装：50
系列：-
包装：管件
IGBT类型：NPT
电压-集射极击穿（最大值）：1200V
不同?Vge、Ic时的?Vce(on)：3V@15V，6A
电流-集电极(Ic)（最大值）：12A
Current-CollectorPulsed(Icm)：24A
功率-最大值：89W
SwitchingEnergy：720µJ
输入类型：标准
GateCharge：25nC
Td(on/off)A25°C：22ns/100ns
TestCondition：600V,6A,50欧姆,15V
反向恢复时间(trr)：160ns
封装：TO-220-3
安装类型：通孔
供应商器件封装：TO-220AB