IRGIB10B60KD1P参数:IGBT W/DIODE 600V 16A TO220FP
类别:分立半导体产品-IGBT - 单路产品培训模块: IGBTPrimerDeviceandApplications HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)标准包装:50系列:-包装:管件IGBT类型:NPT电压-集射极击穿(最大值):600V不同?Vge、Ic时的?Vce(on):2.1V@15V,10A电流-集电极(Ic)(最大值):16ACurrent-CollectorPulsed(Icm):32A功率-最大值:44WSwitchingEnergy:321µJ输入类型:标准GateCharge:41nCTd(on/off)A25°C:25ns/180nsTestCondition:400V,10A,50欧姆,15V反向恢复时间(trr):79ns封装:TO-220-3整包安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220AB整包