IRGP30B120UD-E

IRGP30B120KD-EP
PDF资料下载

IRGP30B120KD-EP参数：IGBT W/DIODE 1200V 60A TO247AD

类别：分立半导体产品-IGBT - 单路
产品培训模块： IGBTPrimerDeviceandApplications HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
设计资源： IRGP30B120KD-EPSaberModel IRGP30B120KD-EPSpiceModel
标准包装：4,000
系列：-
包装：散装
IGBT类型：NPT
电压-集射极击穿（最大值）：1200V
不同?Vge、Ic时的?Vce(on)：4V@15V，60A
电流-集电极(Ic)（最大值）：60A
Current-CollectorPulsed(Icm)：120A
功率-最大值：300W
SwitchingEnergy：2559µJ
输入类型：标准
GateCharge：169nC
Td(on/off)A25°C：50ns/210ns
TestCondition：600V,25A,5欧姆,15V
反向恢复时间(trr)：300ns
封装：TO-247-3（TO-247AD）
安装类型：通孔
供应商器件封装：TO-247AD